刻蚀化药 | ·碱性 1μm,套刻精度:±0.5μm:KOH,TMAH |
·酸性 ±0.5μm:HF,BOE,HCI,HNO3等 | |
刻蚀材料 | ·硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料 |
刻蚀技术 | ·离子束刻蚀(IBE) 用于较难刻蚀的金属或其他物质 |
·深硅刻蚀(DRIE) 刻蚀均匀性<±5%,选择比>50:1 | |
·反应离子刻蚀(RIE) 刻蚀Si,SiO₂,SiNx等 | |
·聚焦离子束刻蚀(FIB) 可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工 | |
·电感耦合(ICP)等离子刻蚀 刻蚀GaN,GaAs,InP等材料 |